特許

J-GLOBAL ID：200903091176892952

磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置

発明者： 内山 晋 ,  綱島 滋 ,  細江 譲 ,  井村 亮
出願人/特許権者： 名古屋大学長 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-027827
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295420
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】磁気記録媒体に高密度で記録された情報を再生する磁気ヘッドに用いるのに好適な磁気抵抗効果素子を提供すること、および、この磁気抵抗効果素子を用いて高密度な情報の記録再生が可能な磁気記憶装置を提供することである。【構成】少なくとも2種類の強磁性金属層と少なくとも1種類の非強磁性金属層を積層した多層磁性薄膜に生じる抵抗変化を利用して磁界を検出する磁気抵抗効果素子において、当該多層磁性薄膜に含まれる磁性層間の磁気相互作用を制御するための手段として、第1の種類の強磁性金属層と非強磁性金属層の間に、第1の種類の強磁性金属層よりも薄い第2の種類の強磁性金属層を挿入する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2種類の強磁性金属層と少なくとも1種類の非強磁性金属層を積層した多層磁性薄膜に生じる抵抗変化を利用して磁界を検出する磁気抵抗効果素子において、当該多層磁性薄膜が、磁性層間の磁気相互作用を制御するための手段として、第1の種類の強磁性金属層と非強磁性金属層の間に、第1の種類の強磁性金属層よりも薄い第2の種類の強磁性金属層を挿入した積層構造を少なくとも2回以上含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/06 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08