半導体装置の製法およびそれに用いる成形型

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294584
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153743
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】樹脂封止後のパッケージの反りの発生を低減することのできる成形型を用いた半導体装置の製法を提供する。【要約】半導体素子8が搭載されたリード基板4を、成形型内に設置し、この成形型内に封止用樹脂組成物を注入して樹脂封止することにより半導体装置を製造するトランスファー成形において、上記成形型として、封止樹脂層形成領域1の上面の2箇所の角部にそれぞれ注入口2a,3aが形成された成形型を用いる。

請求項（抜粋）：

半導体素子が搭載されたリード基板を、成形型内に設置し、この成形型内に封止用樹脂組成物を注入して樹脂封止することにより半導体装置を製造する方法であって、上記成形型として、封止用樹脂組成物を注入するための注入口が、下記の(X)もしくは(Y)の態様で少なくとも2箇所形成された成形型を用いることを特徴とする半導体装置の製法。(X)注入口を成形型の異なる角部にそれぞれ形成する。(Y)注入口を成形型の角部を挟んだ辺部に形成する。

IPC (4件)：

H01L 21/56 , B29C 45/02 , B29C 45/26 , B29L 31:34

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-241042
積層基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-135110 出願人：三菱電機株式会社
積層基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-242329 出願人：三菱伸銅株式会社

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