特許

J-GLOBAL ID：200903091180515195

評価装置及びそれに用いる回路設計方法

発明者： 田辺 昭
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-373349
公開番号（公開出願番号）：特開2004-205301
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】MOSFETのAC動作でのI-V特性を精度良く測定可能な評価装置を提供する。【解決手段】評価装置1において、AC入力信号重畳回路11はMOSFETのゲート・ソース・ドレイン・基板にDC電圧を印加し、ゲートに微小電圧のAC入力信号を重畳する。AC成分測定回路12はその時のソース-ドレイン間に流れる電流のAC成分を測定し、相互コンダクタンス算出回路13は電流のAC成分の振幅とAC入力信号の振幅との比較を行い、この比からMOSFETのAC入力信号の周波数における相互コンダクタンスを求める。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)のゲート・ソース・ドレイン・基板にDC電圧を印加した状態で前記ゲートに微小電圧のAC入力信号を重畳する手段と、前記ゲートに微小電圧のAC入力信号を重畳した時に前記ソースと前記ドレインとの間に流れる電流のAC成分を測定する手段と、この測定した前記AC成分の振幅と前記AC入力信号の振幅との比から前記MOSFETの前記AC入力信号の周波数における相互コンダクタンスを求める手段とを有することを特徴とする評価装置。

IPC (1件)：

G01R31/26

FI (1件)：

G01R31/26 B

Fターム (5件)：

2G003AA02 ,  2G003AA07 ,  2G003AB01 ,  2G003AE02 ,  2G003AH00