特許

J-GLOBAL ID：200903091188300163

半導体デバイス

発明者： 齊藤 博文 ,  松下 欣史 ,  田畑 修
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027389
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224415
出願日： 1993年01月21日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 MOSトランジスタを備える半導体デバイスに関し、MOSトランジスタのホットキャリア劣化を減軽すること目的とする。【構成】 MOSトランジスタを備える半導体デバイスにおいて、上記MOSトランジスタが、酸化膜13bによりゲート電極12及びソース・ドレイン拡散層16から絶縁され、チャネルを形成するキャリアと反発する極性の電圧が印加される制御電極14を備える。そして、チャネルを形成するキャリアと反発する極性の電圧を制御電極14に印加すれば、ドレイン近傍の高電界領域で電流経路が深くなり、発生したホットキャリアがゲート酸化膜に注入され難くなり、ホットキャリア劣化が軽減される。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタを備える半導体デバイスにおいて、上記MOSトランジスタが、酸化膜によりゲート電極及びソース・ドレイン拡散層から絶縁され、チャネルを形成するキャリアと反発する極性の電圧が印加される制御電極を備えることを特徴とする半導体デバイス。