特許

J-GLOBAL ID：200903091194345381

力学量センサ

発明者： 塚本 健夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000004
公開番号（公開出願番号）：特開平5-180866
出願日： 1992年01月04日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】変位量、加速度などの力学量を高感度に検出でき、かつ容易に製造できる力学量センサを提供する。【構成】半導体基体11の表面に、半導体基体11とは異なる導電型のソース領域12とドレイン領域13を形成する。また、ソース領域12およびドレイン領域13を含む領域に対向し、かつこの領域に対して変位可能な変位電極15を設ける。変位電極15と半導体基体11との間隔は、電界効果が及び得る程度のものとする。力学量は、変位電極15に逆バイアス電圧を印加したとき、変位電極15の変位量によって反転層であるチャネル16の形状が変化し、ソース領域12-ドレイン領域13間の抵抗が変化することによって検出される。

請求項（抜粋）：

力学量を検出する力学量センサであって、第1の導電型の半導体基体と、前記半導体基体の表面内に少なくとも1つ設けられた前記第1の導電型と異なる第2の導電型のソース領域と、前記半導体基体の表面内に前記ソース領域から離れて少なくとも1つ設けられた前記第2の導電型のドレイン領域と、前記半導体基体の表面の前記ソース領域および前記ドレイン領域を一体的に含む領域を素子領域とするとき、前記素子領域に対して電界効果を及ぼし得る程度離隔して設けられかつ前記素子領域に対して変位可能である変位電極とを有する力学量センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-147335
  
• 特公昭49-008468
  
• 特開平4-025764