特許
J-GLOBAL ID：200903091196967380
縦型MOSFET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161804
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349288
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】オン抵抗を著しく下げることが可能でしかも製造の容易な縦型MOSFETを提供する。【解決手段】n+ ドレイン層11上のnドリフト領域12の表面層にpウェル領域14が形成され、そのpウェル領域14内にnソース領域15が形成され、nソース領域15とnドリフト領域12とに挟まれたpウェル領域14の表面上にゲート絶縁膜16を介してゲート電極17が設けられ、nソース領域15とpウェル領域14との表面に共通に接触するソース電極18が設けられた縦型MOSFETにおいて、nドリフト領域12の不純物濃度分布を深さ方向に次第に高くなる直線的な分布とし、pウェル領域14の表面からトレンチ22を掘り下げ、そのトレンチ22内に厚い絶縁膜20を介してソース電極と短絡される多結晶シリコン21を埋める。
請求項（抜粋）：
高濃度の第一導電型基板上に形成された低濃度の第一導電型ドリフト領域と、その表面層に選択的に形成された第二導電型ウェル領域と、その第二導電型ウェル領域内に形成された第一導電型ソース領域と、第一導電型ドリフト領域と第一導電型ソース領域とに挟まれた第二導電型ウェル領域の表面上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、第一導電型ソース領域と第二導電型ウェル領域との表面に共通に接触するソース電極と、第一導電型基板の裏面に設けられたドレイン電極とをもつ縦型MOSFETにおいて、第二導電型ウェル領域の表面から掘り下げられ第一導電型基板近くに達するトレンチと、そのトレンチ内壁に沿って素子耐圧に耐える厚い絶縁膜を介して設けられた導電体とを有し、その導電体がソース電極と短絡されていることを特徴とする縦型MOSFET。
FI (2件)：
H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 652 L
