半導体装置の製造方法と半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-315901
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152965
出願日： 2002年10月30日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】シリコン基板表面のマイクロラフネスを減少させる技術を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)対称性の高い結晶面、またはその近傍に沿う表面を有するシリコン基板を準備する工程と、(b)前記シリコン基板を水素を含む雰囲気中でアニールし、自然酸化膜を除去する水素アニール工程と、(c)前記工程(b)の後、前記シリコン基板を不活性ガス雰囲気中でアニールし、シリコン原子のマイグレーションを生じさせる不活性ガスアニール工程と、(d)前記工程(c)の後、前記シリコン基板表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)対称性の高い結晶面、またはその近傍に沿う表面を有するシリコン基板を準備する工程と、 (b)前記シリコン基板を水素を含む雰囲気中でアニールし、シリコン表面上の自然酸化膜を除去する水素アニール工程と、 (c)前記工程(b)の後、前記シリコン基板を不活性ガス雰囲気中でアニールし、シリコン原子のマイグレーションを生じさせる不活性ガスアニール工程と、 (d)前記工程(c)の後、前記シリコン基板表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/324 , H01L21/316 , H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/324 X , H01L21/316 S , H01L29/78 301G

Fターム (40件)：

5F058BA06 , 5F058BA09 , 5F058BC02 , 5F058BE10 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F140AA01 , 5F140AA15 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BE01 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF60 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK23 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CF04 , 5F140CF05

引用特許：

審査官引用 (10件)

特公平3-080338
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-126328 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
シリコン酸化膜の形成方法と半導体ウェーハ、及びMOSデバイス用ウェーハの製造方法とMOSデバイス用ウェーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-380744 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社

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