特許
J-GLOBAL ID：200903091199373774

薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
国井 正文

国井 正文 について

, 
金谷 康弘

金谷 康弘 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326209
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150203
出願日： 1996年11月20日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 低温プロセスで半導体薄膜に対する不純物の均一な低濃度ドーピングを実現する。【解決手段】 半導体成膜ガスにドーパントガスを混合した原料気体を用いて化学気相成長を行ない、トランジスタの活性層となるべき非単結晶性の半導体薄膜2を絶縁基板1上に堆積する。エネルギービーム3を照射して半導体薄膜2に含まれるドーパントを活性化し予めトランジスタの閾電圧を調整しておく。半導体薄膜2を加工してトランジスタを集積形成する。ドーパントガスとして水素又はヘリウムで希釈したB2 H6 を用い、半導体成膜ガスとしてSiH4 を用いた場合、SiH4 に対するB2 H6 の混合比を30ppm 未満に設定する。又、ドーパントの活性化と同時に非単結晶性のシリコン半導体薄膜を多結晶化する際には、エネルギービーム3のエネルギー密度を最適化して、最小結晶粒径が10nm以上となり且つ粒径10nm以下の微結晶を含まない結晶相にする。
請求項（抜粋）：
半導体成膜ガスにドーパントガスを混合した原料気体を用いて化学気相成長を行ない、トランジスタの活性層となるべき非単結晶性の半導体薄膜を絶縁基板上に堆積する成膜工程と、エネルギービームを照射して半導体薄膜に含まれるドーパントを活性化し予めトランジスタの閾電圧を調整しておく照射工程と、該半導体薄膜を加工してトランジスタを集積形成する加工工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法であって、前記成膜工程は、ドーパントガスとして水素又はヘリウムで希釈したB2H6を用い、半導体成膜ガスとしてSiH4を用いると共に、SiH4に対するB2H6の混合比を30ppm未満に設定したことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (5件)：
H01L 29/78 616 L ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (4件)
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