特許
J-GLOBAL ID：200903091199710355
光検出素子、近視野光ヘッドおよび近視野光用光検出器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-098123
公開番号（公開出願番号）：特開2000-292338
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 SN比が高い信号を得ることができ、再生信号の読み出し周波数を高くすることができるとともに、低コスト化、アレイ化を容易に行うことができる近視野光ヘッドを得ること。【解決手段】 本発明は、貫通するテーパ開口部4が微小開口5を有して形成されたシリコン基板3と、テーパ開口部4の周壁に形成された遮光膜6と、微小開口5の開口縁部からテーパ開口部4の周壁に沿って形成された光導波路7と、微小開口5近傍に生成される近視野光P2と記録媒体1の情報単位との相互作用により生じた散乱光P3を受光する光検出素子8と、光検出素子8と一体に形成され光検出素子8からの受光信号を増幅する増幅部13とを備えている。
請求項（抜粋）：
半導体基板中に、第1の不純物半導体層と、前記第1の不純物半導体層の多数キャリアと逆極性の電荷を多数キャリアとして有する第2の不純物半導体層、を備え、前記第2の不純物半導体層の表面を受光面として光検出をおこなう光検出素子において、前記第1の不純物半導体層と電気的に接合する第1の電極と、前記第1の不純物半導体層の内部を通って前記第2の不純物半導体層の裏面と電気的に接合し、かつ前記第1の不純物半導体層と絶縁する絶縁層を表面に設けた導電部と、前記導電部と電気的に接合する第2の電極と、を具備し、前記第1の電極と前記第2の電極とはともに前記第1の不純物半導体層の表面上に形成されたことを特徴とする光検出素子。
IPC (4件)：
G01N 13/14
, G01N 13/10
, G01B 11/24
, G11B 7/135
G01N 37/00 E
, G01N 37/00 Y
, G01B 11/24 Z
, G11B 7/135 Z
2F065AA51
, 2F065BB01
, 2F065DD04
, 2F065FF41
, 2F065GG04
, 2F065JJ18
, 5D119AA10
, 5D119AA40
, 5D119CA09
, 5D119JA36
, 5D119KA01
, 5D119LB06
