特許
J-GLOBAL ID：200903091200025840

半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、集積型半導体発光装置の製造方法、集積型半導体発光装置、画像表示装置の製造方法、画像表示装置、照明装置の製造方法および照明装置

発明者：
奥山 浩之

奥山 浩之 について

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琵琶 剛志

琵琶 剛志 について

, 
鈴木 淳

鈴木 淳 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 杉浦 正知 ,  森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295786
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119964
出願日： 2003年08月20日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】 発光効率が大幅に向上した半導体発光素子を実現する。 【解決手段】 サファイア基板11上にn型GaN層12を成長させ、その上にSiO2 膜などにより成長マスクを形成する。成長マスクの開口部におけるn型GaN層12上に六角錐形状のn型GaN層15を選択成長させる。成長マスクをエッチング除去した後、n型GaN層15を覆うように基板全面に活性層16およびp型GaN層17を順次成長させ、発光素子構造を形成する。この後、n側電極19およびp側電極20を形成する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、 上記第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、 上記成長マスクの上記開口部における上記第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、 上記成長マスクを除去する工程と、 上記第2の半導体層上に、少なくとも活性層および第2導電型の第3の半導体層を順次成長させる工程とを有する ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/205
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
Fターム (41件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA10 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB22 ,  5F041CB23 ,  5F041CB27 ,  5F041CB29 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA55 ,  5F045EB13 ,  5F045HA03 ,  5F045HA16
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 国際公開第02/07231号パンフレット(第47-50頁、第3図〜 第9図)
審査官引用 (2件)

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