特許
J-GLOBAL ID：200903091201913269
半導体セラミックパッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉村 博文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-158455
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051171
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 サーマルビア間の相互インダクタンスを増加させて実効インダクタンスを低減でき、また電源-グランド間のキャパシタンスを増加でき、電気特性を向上させ得る半導体セラミックパッケージを提供する。【構成】 積層された絶縁体層を有する半導体セラミックパッケージにおいて、パッケージ表層に半導体チップを実装する半導体チップ搭載部、パッケージ内層に電源導体層とグランド導体層を有し、また該半導体チップ搭載部の下部にサーマルビアを有し、該サーマルビアが、前記電源導体層に接続される電源接続サーマルビアと、前記グランド導体層に接続されるグランド接続サーマルビアを有する構成よりなる。
請求項（抜粋）：
積層された絶縁体層を有する半導体セラミックパッケージにおいて、パッケージ表層に半導体チップを実装する半導体チップ搭載部、パッケージ内層に電源導体層とグランド導体層を有し、また該半導体チップ搭載部の下部にサーマルビアを有し、該サーマルビアが、前記電源導体層に接続される電源接続サーマルビアと、前記グランド導体層に接続されるグランド接続サーマルビアを有することを特徴とする半導体セラミックパッケージ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 J
, H01L 23/12 C
