特許
J-GLOBAL ID:200903091207245594

光センサ用ダイオード、これを用いた画像入力回路、および画像入力回路の駆動方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 三好 秀和 ,  三好 保男 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-281665
公開番号(公開出願番号):特開2004-119719
出願日: 2002年09月26日
公開日(公表日): 2004年04月15日
要約:
【課題】光センサ用ダイオードに光が照射されたときのリーク電流の発生を防止する。【解決手段】pin型の光センサ用ダイオードのi領域112に絶縁膜を介してゲート電極114を設けることにより、光センサ用ダイオードに電流が流れ始めるときのバイアス電圧の閾値をゲート電圧によって制御可能とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
p型不純物が注入されたp領域、n型不純物が注入されたn領域、前記p領域および前記n領域に対して不純物の濃度が低いi領域を備えた半導体層と、 前記p領域に接続されたアノード電極と、 前記n領域に接続されたカソード電極と、 前記i領域に絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、 を有することを特徴とする光センサ用ダイオード。
IPC (2件):
H01L31/10 ,  H01L27/146
FI (3件):
H01L31/10 A ,  H01L31/10 H ,  H01L27/14 C
Fターム (32件):
4M118AA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CA11 ,  4M118CB07 ,  4M118DB10 ,  4M118DB15 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB12 ,  4M118FB16 ,  4M118HA26 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049MB12 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA05 ,  5F049QA01 ,  5F049QA20 ,  5F049RA04 ,  5F049RA08 ,  5F049RA10 ,  5F049SE05 ,  5F049SE11 ,  5F049SE14 ,  5F049SS01 ,  5F049UA01 ,  5F049UA05 ,  5F049UA14 ,  5F049UA20
引用特許:
審査官引用 (12件)
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