特許

J-GLOBAL ID：200903091208079647

ドライエッチング方法

発明者： 辰巳 哲也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291810
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140370
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置内でラジカル反応を主体とするドライエッチングを行う際のエッチング速度を、ウェハ面内で均一化する。【構成】 通常、この種の装置内ではウェハWの辺縁部でエッチング速度が上昇し易い。そこで、ウェハ載置電極9に挿通される冷却ガス供給管13を通じてウェハWの裏面に供給される冷却用ガスとベルジャー4内に供給されるエッチング・ガスとを反応させ、ウェハWの辺縁部で集中的に堆積性物質14を生成させ、この部分のエッチング速度を相対的に低下させる。たとえば、F* (フッ素ラジカル)をエッチング種とするW層のエッチングにおいて、S2 F2 をエッチング・ガス、N2 を冷却用ガスとして供給すると、堆積性物質14としてポリチアジル(SN)x に代表される窒化イオウ系化合物を生成させることができる。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内にエッチング・ガスを導入してプラズマを発生させ、該真空チャンバ内に配設された基板載置電極上で基板の裏面側を冷却用ガスを用いて冷却しながら、該基板の表面側を前記プラズマ中のエッチング種を用いてエッチングするドライエッチング方法において、前記エッチング・ガスと前記冷却用ガスとの反応により生成する堆積性物質を前記基板の表面に堆積させながらエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00