特許
J-GLOBAL ID：200903091214142040
固体撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-283972
公開番号（公開出願番号）：特開平6-113213
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 V-CCDの暗電流を低減してS/Nを改善し、かつ高画質なマルチストロボ機能を実現する。【構成】 MIS構造部のポリシリコンゲート電極は、1層目のポリシリコンゲート電極55と、2層目のポリシリコンゲート電極56によって構成し、仮想ゲート構造として、ポリシリコンゲート構造のシリコン基板21表面にチヤンネルとは反対の導電型(P型)層61を設け、さらに3層目のポリシリコン電極を取り除く。そして、仮想ゲート57としてのP型半導体層61に低レベルのパルスを印加すると、シリコン基板21表面のポテンシャルが浅いため、表面にはV-CCDに隣接したチヤンネルストップより供給された正孔が蓄積された状態となる。したがって、界面準位が正孔で満たされ、界面準位からの電子(すなわち、暗電流)の発生を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
入射する光情報に応じて電荷を発生するマトリクス状に配置された複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子によって発生した電荷を垂直方向に転送する垂直シフトレジスタと、前記垂直シフトレジスタの信号電荷を水平方向に転送する水平シフトレジスタとを備え、前記垂直シフトレジスタの転送電極部の一部を、拡散層からなる仮想電極で構成するとともに、前記光電変換素子間および前記垂直シフトレジスタ間にチヤンネルストップを形成し、該チヤンネルストップと前記仮想電極とを同電位にしたことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
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