特許
J-GLOBAL ID：200903091215056830
半導体素子実装用ヒートシンク
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327337
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160169
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【構成】表面層1と拡散防止層2の間に上,下面間の導体抵抗を確保するための層1aを設け、この1b層は金等が良く、厚さも0.3μm 以上にする。層1aと1の間にろう材の拡散防止層2aを設け、2a層はチタン,フロム等が0.1μm 以上にとる。【効果】全体の膜厚がほとんど変化しないにもかかわらず、抵抗値が低くなる。
請求項（抜粋）：
半導体素子接合用のろう材を施されている半導体素子実装用ヒートシンクにおいて、ヒートシンクの上,下面を導通する前記ろう材下に施された金属膜の膜構成において、前記ヒートシンクの母材接合用金属膜,導体抵抗低下用金属膜,ろう材拡散防止用膜、及び表面金属膜層等の多層金属膜構造を設けたことを特徴とする半導体素子実装用ヒートシンク。
IPC (3件)：
H01L 21/52
, H01L 23/36
, H01S 3/18
