特許

J-GLOBAL ID：200903091215697348

ニッケルシリサイド膜の形成方法及びこれを利用した半導体素子の製造方法

発明者： 金 ▲みん▼ ▲しゅ▼ ,  具 滋 欽 ,  宣 敏 ▲てつ▼ ,  盧 官 種
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-333524
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150752
出願日： 2004年11月17日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 NiSi膜の熱的安定性を向上させるニッケルシリサイド膜の形成方法及びそれを使用して熱的に安定的な半導体素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 シリコンを含む絶縁領域及びシリコン領域を備える基板を準備する段階と、前記基板上にニッケルを蒸着する段階と、前記蒸着ニッケルを有する前記基板に、300°C〜380°Cの第1温度で第1熱処理工程を適用して前記シリコン領域上に選択的にNiSi膜を形成すると同時に、前記絶縁領域上に未反応ニッケル膜のみを残す段階と、前記未反応ニッケル膜を選択的に除去して前記絶縁領域を露出させると同時に、前記シリコン領域上に前記NiSi膜のみを残す段階と、前記未反応ニッケル膜が除去された前記基板に、前記第1温度より高い第2温度で第2熱処理工程を適用して前記NiSi膜の相転移なしに熱的に安定的なNiSi膜を形成する段階と、を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンを含む絶縁領域及びシリコン領域を備える基板を準備する段階と、 前記基板上にニッケルを蒸着する段階と、 前記蒸着ニッケルを有する前記基板に、300°C〜380°Cの第1温度で第1熱処理工程を適用して前記シリコン領域上に選択的にNiSi膜を形成すると同時に、前記絶縁領域上に未反応ニッケル膜のみを残す段階と、 前記未反応ニッケル膜を選択的に除去して前記絶縁領域を露出させると同時に、前記シリコン領域上に前記NiSi膜のみを残す段階と、 前記未反応ニッケル膜が除去された前記基板に、前記第1温度より高い第2温度で第2熱処理工程を適用して前記NiSi膜の相転移なしに熱的に安定的なNiSi膜を形成する段階と、を含むことを特徴とするニッケルシリサイド膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/28 301S ,  H01L21/285 S ,  H01L29/78 301P

Fターム (57件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104HH16 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA13 ,  5F140AA37 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BF34 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG22 ,  5F140BG30 ,  5F140BG31 ,  5F140BG34 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH06 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ18 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK19 ,  5F140BK21 ,  5F140BK23 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5,989,988号明細書
  
• 米国特許第5,780,361号明細書