特許
J-GLOBAL ID：200903091218350780
多相交流多電極放電による高密度プラズマを用いた薄膜形成方法とその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
戸川 公二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-028566
公開番号（公開出願番号）：特開平7-238374
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 多数設けた電極間に生じる高密度プラズマを利用することによって、ワーク表面への薄膜形成を能率良く行うことができる薄膜形成方法とその装置を提供すること。【構成】 多相交流をその相順に、先端部が正多角形の各頂点付近に位置する如く配置した放電電極へ、右または左回り順に印加することにより多電極が囲む領域に高密度プラズマを生起せしめ、要すればワークを多電極が囲む領域に位置させるという手段を採用した。【効果】 構造の複雑化を伴うことなく多電極間に高密度プラズマを生起できるので、各種薄膜の形成速度の向上、膜質の改善等を大幅に進めることができ、ワークを多電極で囲まれる領域に位置させれば、表面形状が立体的なワークに対しても、一面ずつでなく、表面全体を一括して均一な薄膜を形成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
減圧した放電室1内での気体放電により生起される低温プラズマを利用しワークW表面に各種の薄膜を形成するにあたり、n相交流電源から出力されるn相交流をその相順に、先端部が正n角形各頂点付近に位置する如く配置された放電電極T1 〜Tn へ右または左回り順に印加することにより、当該放電電極T1 〜Tn で囲まれる領域内に高密度プラズマを生起せしめてワークW表面に所要の薄膜を形成することを特徴とする多相交流多電極放電による高密度プラズマを用いた薄膜形成方法。
IPC (3件)：
C23C 14/54
, C23C 16/50
, H05H 1/46
