特許
J-GLOBAL ID：200903091221291248
トレンチ隔離形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117079
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036535
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 トレンチ隔離形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上にトレンチ形成パターンを形成する工程と、トレンチ形成パターンをマスクいとして半導体基板10がエッチングされトレンチ16が形成され、トレンチのエッジ部位aが丸く形成される工程と、トレンチ形成時発生された表面損傷を除去するためトレンチの両側壁及び下部面に熱酸化膜18が形成される工程と、トレンチに絶縁物質20aが充填され、絶縁物質の緻密化のため半導体基板が熱処理される工程とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にトレンチ形成パターンを形成する工程と、前記トレンチ形成パターンをマスクとして使用して前記半導体基板をエッチングしてトレンチを形成し、前記トレンチのエッジ部位を丸く形成する工程と、前記トレンチ形成時発生された表面損傷を除去するため前記トレンチの両側壁及び下部面に熱酸化膜を形成する工程と、前記トレンチに絶縁物質を充填する工程と、前記絶縁物質の緻密化のため前記半導体基板を熱処理する工程とを含むトレンチ隔離形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/316 S
