特許

J-GLOBAL ID：200903091221521189

常誘電体薄膜の形成方法

発明者： 大藤 晋一 ,  逸見 学
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-322233
公開番号（公開出願番号）：特開平10-152397
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】 バリウムまたはストロンチウムを含む高誘電率薄膜の分極対電界特性における履歴の発生を解決すること。【解決手段】 20°C以上かつ400°C以下の基板温度でバリウムまたはストロンチウムを含む誘電体薄膜を電子サイクロトロン共鳴型プラズマ源を有するスパッタリング法を用いて堆積する工程と、該堆積時の温度を超える温度で熱処理を加える工程とを含む常誘電体薄膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

20°C以上かつ400°C以下の基板温度でバリウムまたはストロンチウムを含む誘電体薄膜を電子サイクロトロン共鳴型プラズマ源を有するスパッタリング法を用いて堆積する工程と、該堆積時の温度を超える温度で熱処理を加える工程とを含むことを特徴とする常誘電体薄膜の形成方法。

IPC (9件)：

C30B 29/22 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/35 ,  C23C 14/58 ,  C30B 29/32 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (8件)：

C30B 29/22 Z ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/35 Z ,  C23C 14/58 A ,  C30B 29/32 C ,  H01B 3/00 H ,  H01L 21/203 S ,  H01L 27/10 651