特許

J-GLOBAL ID：200903091227224054

半導体装置の製造方法

発明者： 久保 亨
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085710
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291415
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 有機シランオゾン系酸化膜堆積後、アルミ配線間のボイド発生を防ぎ、微細な多層配線の層間膜形成を可能にする。【構成】 配線3上に形成した0.4μmのプラズマテオス膜4を温度450°C、N2 雰囲気中、30分で熱処理し、さらに、そのプラズマテオス膜5の表面をN2 プラズマ処理する。熱処理を行なった後にN2 プラズマ処理を行なうことで、狭いアルミ間スペースのプラズマテオス膜6の側壁部が十分に改善される。さらに、オゾンテオス膜7をプラズマテオス膜6の上に0.8μm堆積させても、ボイドの発生がなく、0.5μmの狭いアルミ間スペースを埋め込むことができる。

請求項（抜粋）：

有機シラン系プラズマ化学気相成長法を用いて有機シラン系プラズマ酸化膜を形成する工程と、有機シラン-オゾン系常圧CVD法を用いて有機シランオゾン系酸化膜を形成する工程と、をこの順序で含む半導体装置の製造方法において、前記有機シランオゾン系酸化膜を形成する前に、熱処理を行なう工程と、窒素プラズマを用いて前記有機シラン系プラズマ酸化膜の表面をプラズマ処理する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316