特許

J-GLOBAL ID：200903091228111130

強誘電体薄膜形成用組成物及び強誘電体薄膜の形成方法

発明者： 曽山 信幸 ,  木下 真 ,  内田 寛人 ,  牧 一誠 ,  松浦 正弥 ,  森 暁
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158116
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344573
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 表面形態が均一で電気的特性の均質性にも優れたペロブスカイト型PLZT強誘電体薄膜を形成する。【解決手段】 ペロブスカイト型PLZT強誘電体薄膜を形成するための金属化合物溶液よりなる強誘電体薄膜形成用組成物において、該溶液中に2-アセチル-3-メチル-3-ペンテン-5-オリド及び/又は2-アセチル-3-メチル-4-ペンテン-5-オリドを含有する強誘電体薄膜形成用組成物。この強誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布、仮焼し、焼成して強誘電体薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型PLZT強誘電体薄膜を形成するための有機金属化合物溶液よりなる強誘電体薄膜形成用組成物において、該溶液中に2-アセチル-3-メチル-3-ペンテン-5-オリド及び/又は2-アセチル-3-メチル-4-ペンテン-5-オリドを含有することを特徴とする強誘電体薄膜形成用組成物。

Fターム (12件)：

4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA04 ,  4G031GA07 ,  4G031GA08 ,  4G031GA09 ,  4G031GA16