特許
J-GLOBAL ID：200903091229306023

銅メッキ溶液及び、それを用いた銅多層配線構造体の形成方法

発明者：
本 間 哲 哉

本 間 哲 哉 について


出願人/特許権者：
学校法人 芝浦工業大学

学校法人 芝浦工業大学 について


代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084514
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274116
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 特別な還元剤を必要とせず、高純度の銅薄膜を形成するための銅メッキ溶液を提供する。銅多層配線構造体の形成に際して、触媒金属薄膜あるいは種層としての銅薄膜が不要,堆積速度が大きい,ビアホール部分あるいは配線層部分の埋設性が向上する,銅メッキを行う際の前処理が不要,ビアホール底部での電気的接続性の改善が可能,などの利点があり、将来の超微細・高性能な銅多層配線構造体の形成に対応できる銅メッキ溶液を提供すること。【解決手段】 本発明の銅メッキ溶液は、銅イオンと、フッ化水素酸及び/又はケイフッ化水素酸とを主成分とする水溶液からなり、必要に応じ、銅以外の金属水酸化物又は金属酸化物を含む。この銅メッキ溶液は、半導体集積回路基板又は、多層プリント配線基板の銅多層配線構造体の形成に好適に用いられる。
請求項（抜粋）：
銅イオンと、フッ化水素酸及び/又はケイフッ化水素酸とを主成分とする水溶液からなる銅メッキ溶液。
IPC (5件)：
H01L 21/288 ,  C23C 18/38 ,  H01L 21/768 ,  H05K 3/46 ,  H05K 3/42 610
FI (8件)：
H01L 21/288 M ,  C23C 18/38 ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/42 610 B ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 K
Fターム (78件)：
4K022AA05 ,  4K022BA08 ,  4K022CA28 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD53 ,  4M104EE14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  4M104HH15 ,  5E317AA24 ,  5E317BB12 ,  5E317CC35 ,  5E317CD27 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346CC31 ,  5E346CC32 ,  5E346CC36 ,  5E346DD25 ,  5E346DD32 ,  5E346DD44 ,  5E346EE33 ,  5E346FF15 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS30 ,  5F033XX02 ,  5F033XX09
引用特許：
審査官引用 (3件)

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