特許

J-GLOBAL ID：200903091235852242

イメージセンサの透明電極の製造方法

発明者： 山崎 憲二
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 石井 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189886
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013598
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 透明導電膜のエッチング残渣が発生することのない、イメージセンサの透明電極の製造方法を提供する。【構成】 ガラス基板1上に、金属電極2を成膜し、パターニングする。次に、オーミック層として、Pドープa-Si膜3を、光電変換層としてノンドープa-Si膜4を、それぞれ成膜する。さらに、透明電極として、ITO膜5をスパッタリング法により成膜する。次に、熱処理を行ない、ITO膜5を結晶化させる。さらに、レジストパターンを形成し、エッチングして、ITO膜5をパターニングし、所望のITOパターンを得る。

請求項（抜粋）：

イメージセンサの透明電極の製造方法において、透明導電膜を成膜し、該透明導電膜を結晶化させた後、エッチングを行なうことを特徴とするイメージセンサの透明電極の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/90