特許
J-GLOBAL ID：200903091240640911
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334263
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120206
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 信頼性の高い絶縁膜と半導体との界面(例えば、酸化膜/シリコン界面)を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 プラズマを伴わない水素活性種によりシンタリング処理された絶縁膜を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
プラズマを伴わない水素活性種によりシンタリング処理された絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, H01L 21/283
, H01L 21/324
, H01L 29/784
