特許
J-GLOBAL ID：200903091244694455

窒化物系半導体発光素子

発明者：
石橋 明彦

石橋 明彦 について

, 
大塚 信之

大塚 信之 について

, 
伴 雄三郎

伴 雄三郎 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-293792
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101142
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系半導体素子の熱応力を制御して反りやバンド構造を制御し、しきい電流の低い高品質なレーザを提供する。【解決手段】 サファイア基板上に作製された窒化物系半導体レーザにおいて、活性層を含むリッジストライプの幅がレーザ共振器長以上の長さを有するように作製する。これにより、C面内において共振器方向に垂直な方向の熱応力が、同面内において共振器方向における熱応力よりも小さくすることができ、共振器方向に基板が反ることを抑制して共振ロスを低減させることができるのでレーザ発振しきい電流を低減させることが可能となる。
請求項（抜粋）：
活性層を含むリッジストライプの幅がレーザ共振器長以上の長さを有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/323 610
Fターム (11件)：
5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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