特許

J-GLOBAL ID：200903091246012505

原子内包シリコンクラスター、及び、その製造方法

発明者： 金子 俊郎 ,  畠山 力三 ,  笠間 泰彦 ,  表 研次
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学 ,  株式会社イデアルスター
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-162109
公開番号（公開出願番号）：特開2007-331953
出願日： 2006年06月12日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】新規エレクトロニクス材料として期待されるシリコンクラスターは、従来、金属原子を内包するシリコンクラスターの合成が報告されていた。しかし、金属イオンの生成効率が極めて低いために、シリコンクラスターを大量生産することができなかった。【解決手段】ガス原子とシリコンを反応させることによりガス原子内包シリコンクラスターを合成した。金属イオンに比べガスイオンは、生成が容易で、イオン生成効率も高い。シリコンクラスターの大量生産が可能になった。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

不活性ガス原子を内包する原子内包シリコンクラスター。

IPC (3件)：

C01B 33/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 33/02

FI (3件)：

C01B33/00 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02 Z

Fターム (5件)：

4G072AA50 ,  4G072HH50 ,  4G072JJ50 ,  4G072RR25 ,  4G072UU01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シリコンクラスター及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-261238   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 日本電気株式会社