誘電体磁器および積層型電子部品

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396623
公開番号（公開出願番号）：特開2002-193667
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：

【要約】【課題】結晶粒子を微粒子化した場合でも比誘電率が大きく、かつ比誘電率の温度特性が良好な誘電体磁器を提供し、それにより高電圧が印加されても静電容量の低下率が小さい積層型電子部品を提供する。【解決手段】金属元素としてBa、Ti、Zr、Mgと、Y、ErおよびYbのうち少なくとも1種とを含有するペロブスカイト型のBTZ結晶粒子と、金属元素としてBa、Ti、Mgと、Y、ErおよびYbのうち少なくとも1種とを含有するペロブスカイト型のBT結晶粒子とからなり、これらのペロブスカイト型結晶粒子がコアシェル構造を有し、かつ平均粒径が0.3〜1.0μmである。

請求項（抜粋）：

金属元素としてBa、Ti、Zr、Mgと、Y、ErおよびYbのうち少なくとも1種とを含有するペロブスカイト型のBTZ結晶粒子と、金属元素としてBa、Ti、Mgと、Y、ErおよびYbのうち少なくとも1種とを含有するペロブスカイト型のBT結晶粒子とからなり、前記BTZ結晶粒子と、前記BT結晶粒子がコアシェル構造を有し、かつ平均粒径が0.3〜1.0μmであることを特徴とする誘電体磁器。

IPC (4件)：

C04B 35/49 , H01B 3/12 303 , H01G 4/12 358 , H01G 4/12 361

FI (4件)：

C04B 35/49 Z , H01B 3/12 303 , H01G 4/12 358 , H01G 4/12 361

Fターム (26件)：

4G031AA03 , 4G031AA06 , 4G031AA07 , 4G031AA08 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA39 , 4G031BA09 , 4G031CA01 , 4G031CA04 , 4G031GA02 , 5E001AB03 , 5E001AC09 , 5E001AE00 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AE04 , 5G303AA01 , 5G303AB06 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB03 , 5G303CB17 , 5G303CB35 , 5G303CB39 , 5G303CB40

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭59-026969
特開平3-112860
特開平3-112861

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