特許
J-GLOBAL ID：200903091247459457
表面平坦化法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236963
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055182
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 段差を有する基板上面を平坦化する。【構成】 導電層14A等により段差が形成された半導体基板10の上面において、段差を覆って1又は複数層の絶縁膜(18等)を形成した後、、この絶縁膜の上に段差の下部に対応してエッチングマスクを配置する。そして、このエッチングマスクを用いて絶縁膜を選択的にエッチングすることより絶縁膜を段差の上部にてエッチングマスク直下の凸部30Aとほぼ等しいレベルで残存させてから、エッチングマスクを除去する。この後、段差の上部や凸部30Aの上には配線層20A〜20C等を微細パターンで形成できる。平坦化のための別の方法としては、絶縁膜18を形成する前に凸部30Aの代りそれに相当する下敷層を段差の下部に対応して形成しておく方法もある。
請求項（抜粋）：
(a)一方の主面に段差を有する基板を用意する工程と、(b)前記基板の一方の主面に前記段差を覆って1又は複数層の絶縁膜を該段差の高さより厚く形成する工程と、(c)前記絶縁膜の上に前記段差の下部に対応してエッチングマスクを配置する工程と、(d)前記エッチングマスクを用いて前記絶縁膜を選択的にエッチングすることにより前記絶縁膜を前記段差の上部にて前記エッチングマスクの直下とほぼ等しいレベルで残存させる工程と、(e)前記エッチングの後、前記エッチングマスクを除去する工程とを含む表面平坦化法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
