特許
J-GLOBAL ID：200903091250525274
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-309822
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118328
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 環境に配慮した材料を用い、量産化が可能な構成をもち、緑色から紫外の波長域に発光波長を制御できる構成を備え、高性能で高効率で高信頼性の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明は、六方晶系ZnOは、励起子結合エネルギーが大きいため室温においても高密度の励起子が存在するので、これを活性層101に用いた場合、高い発光効率を持つ素子が得られ、六方晶III-V族化合物からなる基板(104)を用いると、格子整合を取りやすくなるため六方晶ZnO系の良好なエピタキシャル成長膜が得られ、高効率の半導体発光素子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
II-VI族化合物半導体からなる1つまたは2つのクラッド層とII-VI族化合物半導体からなる活性層を備える半導体発光素子において、前記クラッド層の少なくとも1つと前記活性層が少なくともZn元素とO元素とを含み、前記活性層及び前記クラッド層の結晶系が六方晶であり、前記活性層及び前記クラッド層が少なくとも六方晶III-V族化合物からなる基板の上に設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073AA04
, 5F073AA74
, 5F073CA22
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA26
, 5F073EA05
, 5F073EA23
