特許
J-GLOBAL ID：200903091264841470
半導体基体の表面処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-193095
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036672
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】シリコン露出面の自然酸化膜成長を抑制しながら、汚染の少ない親水性面を出す半導体基体の表面処理方法を提供することを目的とする。【構成】第4アンモニウム塩基に非イオン界面活性剤を加えた水溶液を用いて、処理温度60°C以下の条件で表面処理を行って、自然酸化膜の成長を抑制しながら、汚染の少ない親水性のシリコン露出面を得る。
請求項（抜粋）：
シリコン面が露出した半導体基体を、第4アンモニウム塩基溶液を用いて、前記シリコン面が親水性となる低い液温条件で処理することを特徴とする半導体基体の表面処理方法。
引用特許：
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