特許
J-GLOBAL ID：200903091266204834
化合物半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173474
公開番号（公開出願番号）：特開平6-298597
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体単結晶引き上げ装置の密封容器内における温度分布の制御性を向上させ、高品質の単結晶を得る。【構成】 密封容器1内を鍔部20a、テーパー部20b、および円筒部20cからなる環状隔壁20によって上下に分離し、鍔部20aを挟んで上部にルツボサブヒーター13を設け、下部にルツボヒーター14を設ける。その結果、前記各ヒーター13,14の出力配分により、単結晶T周辺に、円筒部20cの長さに応じて緩やかな温度勾配が形成され、かつ多結晶化の起こりにくい固液界面形状が得られる。しかも、鍔部20aにより上下に分けられたこれら2つのヒーター13,14の加熱領域は、テーパー部20bにより緩やかな温度分布で連結される。
請求項（抜粋）：
開閉可能な円筒状密封容器と、この密封容器の内部に同軸に配置されたルツボと、このルツボを軸線回りに回転させるルツボ回転手段と、前記ルツボ内に収容された原料融液に種結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構と、前記密封容器と連通された蒸気圧制御部と、前記密封容器を取り巻いて前記密封容器を加熱する複数のヒーターとを具備し、前記密封容器内に封入された高解離圧成分の一部を前記蒸気圧制御部内に凝縮させることにより前記密封容器内部の高解離圧成分ガスの圧力を制御しつつ化合物半導体単結晶の引き上げを行う装置において、前記複数のヒーターがルツボの上方、ルツボの側方、および蒸気圧制御部上部をそれぞれ側面から加熱する少なくとも3つの部位に分かれ、前記密封容器の内周には、上方から下方に向けて漸次縮径するテーパー管と、このテーパー管の下端から下方に伸長する円筒部とからなる環状隔壁が、前記テーパー管に設けられた環状鍔部によって前記ルツボ上方のヒーターとルツボ側方のヒーターの間隙に相当する位置で前記密封容器と同軸状に内接支持され、更に、前記環状隔壁の全長が、目的とする単結晶の全長以上で、しかも、前記円筒部の内径が前記単結晶の外径より大きく、かつその外径が前記ルツボの内径より小さいことを特徴とする化合物半導体単結晶引き上げ装置。
IPC (4件)：
C30B 27/02
, C30B 15/14
, C30B 15/22
, H01L 21/208
