特許
J-GLOBAL ID：200903091267750174

薄膜の製造方法および薄膜

発明者：
川俣 健

川俣 健 について

, 
三田村 宣明

三田村 宣明 について


出願人/特許権者：
オリンパス光学工業株式会社

オリンパス光学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-184454
公開番号（公開出願番号）：特開平9-031638
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：
【要約】【課題】 薄膜をスパッタリング法により高速で形成する方法および光吸収のないフッ化物膜をスパッタリング法により高速で形成する方法を得る。【解決手段】 真空槽1の内部上方には基板2が自転可能に設置されている。膜原料のMgF2 顆粒3は石英製の皿4に入れられ、マグネトロンカソード5上に載置されている。マグネトロンカソード5はマッチングボックス6を介して13.56MHzの高周波電源7と接続されている。マグネトロンカソード5の下面には、マグネトロンカソード5の温度を一定に保つ冷却水8が流れている。真空槽1の側面には真空槽1内部にガスを導入するガス導入口9および10が設けられている。マグネトロンカソード5と基板2との間にはシャッター11が設けられている。
請求項（抜粋）：
膜原料の表面を加熱し、前記膜原料をイオンによりスパッタリングすることにより、前記膜原料の少なくとも一部分を分子状態で跳びださせ、前記分子状態の膜原料で基板上へ膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/40 ,  C30B 25/06 ,  G02B 1/10
FI (7件)：
C23C 14/34 B ,  C23C 14/34 L ,  C23C 14/34 R ,  C23C 14/06 G ,  C23C 14/40 ,  C30B 25/06 ,  G02B 1/10 Z
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • 特開昭62-182271
  • 特開昭62-182271
  • 特開昭62-182271
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