特許
J-GLOBAL ID：200903091269156296
バイポーラトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-002181
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191077
出願日： 1995年01月10日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 ベース抵抗が低いにもかかわらず、エミッタ注入効率の大きく、かつ結晶欠陥の少ないバイポーラトランジスタを提供すること。【構成】 エミッタ層は第1導電型、ベース層は第2導電型およびコレクタ層は第1導電型である。そして、このベース層は第2導電型を決定するための第2不純物であるボロン(B)の他に、第1導電型を決定するための第1不純物であるひ素(As)を含んでいる。また、ひ素(As)の添加濃度は、ボロン(B)の添加濃度より低く、かつ1×1018cm-3以上である。
請求項（抜粋）：
第1導電型のエミッタ層、第2導電型のベース層および第1導電型のコレクタ層を含むバイポーラトランジスタにおいて、前記ベース層は、第2導電型を決定する第2不純物の他に、該不純物の添加濃度よりも低く、かつ1×1018cm-3以上の添加濃度で、第1導電型を決定するための第1不純物を含んでいることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
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