半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311383
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140355
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】不純物を含む半導体多結晶層と高融点金属層との間の剥離を防止して信頼性を向上することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体多結晶層とゲート電極等に用いられる高融点金属層との間に半導体多結晶層と同様な材料からなる非晶質層を介在させることにより、アニール処理を施す際にも、各層間の密着性が劣化することがなく、剥離等が発生する心配がないことから半導体装置の信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体多結晶層と、高融点金属層とが積層された半導体装置であって、前記半導体多結晶層と、前記高融点金属膜との間に前記半導体多結晶層と同様な材料からなる非晶質層を介在させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/62 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 Q , H01L 29/78 301 G

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