特許
J-GLOBAL ID：200903091277880920
不揮発性メモリ装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040951
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252414
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 書き込みおよび読み出しをそれぞれに適した不純物濃度で行うことができる不発性半導体メモリ装置を提供すること。【構成】 p型の半導体基板40に、n型のソース領域42およびドレイン領域44を個別に離隔して具え、半導体基板40のソース領域42とドレイン領域44とに挟まれた領域上およびドレイン領域44の一部分の領域上にまたがって設けてゲート電極部48が設けてある。ゲート電極部48には、浮遊ゲート電極50、ゲート間絶縁膜52および制御ゲ-ト電極54を順に積層して設けてある。ドレイン領域42には、p+ 領域56が設けてある。ドレイン領域44のゲート電極部48直下の部分(ゲート・ドレイン重なり部)58には、n型の高濃度不純物領域60と低濃度不純物領域62とをそれぞれゲート幅方向に沿って設けてある。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板に、第2導電型のソース領域およびドレイン領域を個別に離隔して具え、該半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極部を具え、該ゲート電極部は、前記半導体基板の、前記ソース領域と前記ドレイン領域とに挟まれた領域上および前記ドレイン領域の一部分の領域上にまたがって設けてあり、該ゲート電極部には、浮遊ゲート電極、ゲート間絶縁膜および制御ゲート電極を順に積層して設けてあり、前記ドレイン領域には、第1導電型の不純物拡散領域が設けてある不揮発性メモリ装置において、前記ソース領域および前記ドレイン領域のうち、少なくとも前記ドレイン領域の前記ゲート電極部直下の部分に、第2導電型の高濃度不純物領域と低濃度不純物領域とをそれぞれゲート幅方向に沿って設けてあることを特徴とする不揮発性メモリ装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
