フォトマスクの製造方法、フォトマスクおよび半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-331000
公開番号（公開出願番号）：特開2002-131884
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】フォトマスクの信頼性、半導体集積回路の歩留りを向上させ、フォトマスクの製造コストを低減することの技術を提供する。【解決手段】レジスト膜を遮光パターン2とするレジスト遮光マスクMRのマスク基板1の平面形状を円形状とし、前記マスク基板1上に所定のパターンを転写する際に、前記平面円形状のマスク基板1の異なる領域に同一パターンを転写する工程、前記有機膜からなる遮光パターン2を有するフォトマスクMRを用いて被処理基板上の感光性樹脂膜に露光処理を施す工程、前記被処理基板において異なる領域に転写された同一パターン同士を比較することにより、前記フォトマスクMRのパターンの良否を検査する工程を有するものである。

請求項（抜粋）：

平面円形状のマスク基板を用意する工程、前記平面円形状のマスク基板上に露光光に対して遮光性を有する有機膜からなる遮光パターンを形成する工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。

IPC (5件)：

G03F 1/08 , G03F 1/14 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 , H01L 21/027

FI (11件)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 B , G03F 1/08 C , G03F 1/08 J , G03F 1/08 S , G03F 1/08 T , G03F 1/08 X , G03F 1/14 A , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 P

Fターム (15件)：

2H095BA02 , 2H095BB03 , 2H095BB06 , 2H095BB15 , 2H095BB18 , 2H095BB19 , 2H095BB36 , 2H095BC01 , 2H095BC05 , 2H095BC06 , 2H095BC08 , 2H095BC09 , 2H095BC28 , 2H095BD04 , 2H095BD31

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