特許
J-GLOBAL ID：200903091291236732
シリカ系被膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-221411
公開番号（公開出願番号）：特開平10-060649
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：
【要約】【課題】 良質なシリカ系被膜を得るには、400〜450°C程度の加熱による焼成が必須であり、耐熱性のない基材へのシリカ系被膜への形成は困難である。【解決手段】 テトライソシアネートシランとトリアルキルアミンの混合ガスを用いることにより、従来法より低温条件のCVD法にてシラノール等の含有の極めて少ない良質なシリカ系被膜を形成できることを見出した。
請求項（抜粋）：
テトライソシアネートシラン及びトリアルキルアミンを必須成分とする混合ガスを用い、CVD法により基材上にシリカ系被膜を形成させることを特徴とするシリカ系被膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/42
, H01L 21/316 X
