CMOS薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阪本清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237590
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069237
出願日： 1992年08月14日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 CMOS薄膜トランジスタの製造方法において、大面積基板に対してイオン注入が可能なシャワー・ドーピング法においても、インプラ・マスクとしてフォトレジストを使用できるようにする。【構成】島状シリコン層にドーピング元素を低加速エネルギーによるシャワー・ドーピング法で混入し、基板温度を上昇させることなく島状シリコン層をP+領域やN+領域とし、チャネルポリシリコン層5は、レーザによるアニールを行なうことにより島状シリコン層から前記元素を拡散させてゲート電極7に自己整合となるP+領域やN+領域を形成する。

請求項（抜粋）：

pチャネルTFTとnチャネルTFTとを基板上に形成し、各TFTはポリシリコン層,ゲート絶縁膜,ゲート電極を積層して構成されるCOS薄膜トランジスタにおいて、前記ポリシリコン層は、ゲート電極直下において分離する一対の島状ポリシリコン層と、該島状ポリシリコン層間を覆うチャネルポリシリコン層とから形成され、pチャネルTFT又はnチャネルTFTの少なくとも一方側のチャネルポリシリコン層は、低加速エネルギーによるシャワー・ドーピング法で島状ポリシリコン層に混入されたドーパントをレーザ・アニールにより拡散させることでP+領域もしくはN+領域としたことを特徴とするCMOS薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 27/092

FI (5件)：

H01L 29/78 311 P , H01L 21/265 P , H01L 21/265 B , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-136373
特開平2-291138
特開昭63-119527

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