特許
J-GLOBAL ID：200903091297519027
半導体光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120754
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124539
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 組立用マーカ及び光出射端面と活性層との間の相対位置精度が優れ、実装時に十分な結合効率を得ることができ、均一な素子特性を得ることができる半導体光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 クラッド層17及び18に対して選択エッチングが可能なエッチングストッパー層7を半導体基板9上に形成する。次に、半導体基板9上に目合わせパターン成長阻止マスク及び1対の同方向に延びる成長阻止マスクを選択的に形成する。次いで、半導体基板9上にクラッド層17を選択成長により形成する。その後、クラッド層17上に導波路層1を選択成長により形成する。次に、導波路層1上にクラッド層18を選択成長により形成する。更に、全面に半導体層2乃至5を形成する。そして、半導体層2乃至5及びクラッド層18を選択的にエッチングすることにより目合わせパターン成長阻止マスクの形状を発現させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に目合わせパターン成長阻止マスク及び1対の同方向に延びる成長阻止マスクを選択的に形成する工程と、前記半導体基板上に第1のクラッド層を選択成長により形成する工程と、前記第1のクラッド層上に活性層を備えた導波路層を選択成長により形成する工程と、前記導波路層上に第2のクラッド層を選択成長により形成する工程と、全面に半導体層を形成する工程と、を有する半導体光素子の製造方法において、前記目合わせパターン成長阻止マスク及び1対の前記成長阻止マスクを形成する工程の前に前記第1及び第2のクラッド層に対して選択エッチングが可能なエッチングストッパー層を前記半導体基板上に形成する工程を有し、前記半導体層を形成する工程の後に前記半導体層及び前記第2のクラッド層を選択的にエッチングすることにより前記目合わせパターン成長阻止マスクの形状を発現させる工程を有することを特徴とする半導体光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 616
, G02B 6/42
2H037AA01
, 2H037BA02
, 2H037DA03
, 2H037DA18
, 5F073AA22
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AB25
, 5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073CA12
, 5F073FA07
, 5F073FA23
