液状不純物源材料及びこれを使用した拡散領域形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-011081
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218049
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】液状不純物源を使用してn形拡散領域を良好に形成することが困難であった。【解決手段】半導体基板1上に導電型決定用不純物としてのリン酸ニ水素アンモニウムと溶媒と増粘剤としてのポリN-ビニルアセトアミドと水とからなる液状不純物源材料を塗布して液状不純物源膜2を形成し、これを乾燥させる。次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度で加熱してリンを半導体基板1に拡散する。これにより、液状不純物源を使用してn形拡散領域を良好に形成することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体基板にn形不純物を拡散する時に使用する液状不純物源材料であって、無機リン化合物と、窒素を含有するビニル系高分子物質、セルロ-ス系高分子物質及びアクリル系高分子物質から選択された少なくとも1種の水溶性有機高分子物質から成る増粘剤と、有機溶剤と、水とから成る液状不純物源材料。

前のページに戻る