特許
J-GLOBAL ID：200903091305250768
半導体式物理量センサ
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-079592
公開番号（公開出願番号）：特開平7-260824
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【構成】 ビーム3によって支持されたマス部4の下面に可動電極8を設け、可動電極8と対向させてガラス基板6の内面に固定電極9を設け、可動電極8と固定電極9によって静電容量部10を構成する。また、マス部4が下方へ変位した時に伸張歪の発生する位置に歪検出素子11を設ける。従って、加速度による静電容量部10の静電容量値Cの増減と歪検出素子11の抵抗値Rの増減とは同じ向きとなっている。このトランスジューサ部1に接続される演算処理回路21は抵抗値Rと静電容量値Cの積RCを時定数とする関数の形式で信号を出力する。【効果】 静電容量部の静電容量値単独や歪検出素子の抵抗値単独の場合よりも検出感度を高感度化させることができる。
請求項（抜粋）：
ダイヤフラムやマス部等の変位可能な感知部を弾性変形部によって支持し、圧力や加速度等の物理量を感知部の変位として検出する半導体式物理量センサにおいて、前記弾性変形部の弾性歪を検出するための歪検出素子を設け、前記感知部に可動電極を形成すると共に当該可動電極と対向させて固定電極を設けたことを特徴とする半導体式物理量センサ。
IPC (2件)：
前のページに戻る
