特許

J-GLOBAL ID：200903091311801130

不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法

発明者： 遠藤 正文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051598
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251485
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 メモリセルにnビット(n≧2)の多値データを書き込む場合に、書き込み時間を短縮する。【解決手段】 4値型のNAND型フラッシュメモリにおいて、ISPP方式を用いて選択されたメモリセルにページ単位で2ビットデータを書き込む。この際、書き込み開始から、メモリセルのしきい値電圧Vthが中間プログラム状態(Vth=0V)に達するまでの間は、選択ワード線にプログラム電圧VPGM (N) を印加しつつ、ビット線に初期ビット線電圧VB0を印加してデータの書き込みを行い、その都度、選択ワード線にしきい値比較電圧VVF(=0V)を印加して、メモリセルのしきい値電圧Vthが中間プログラム状態に達したか否かを検知することでベリファイを行う。ベリファイの結果、メモリセルのしきい値電圧Vthが中間プログラム状態に達したと判断された場合、次回の書き込みでは、ビット線に書き込みデータに応じたビット線電圧を印加してデータの書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

ワード線およびビット線への印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量が変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化することによってしきい値電圧に応じた値のデータを記憶すると共に、nビット(ただしn≧2)のデータを記憶するために消去状態と2n -1個のプログラム状態とを有するメモリセルを有し、書き込み動作時に、ワード線に印加する書き込みパルス電圧を書き込み回数に応じて所定の初期電圧から所定のステップ幅で段階的に増加させ、選択された上記メモリセルにページ単位でデータを書き込むようにした不揮発性半導体記憶装置であって、ワード線に上記書き込みパルス電圧を印加しつつビット線に所定の初期ビット線電圧を印加して上記メモリセルにデータを書き込み、この際、上記メモリセルのしきい値電圧が上記2n -1個のプログラム状態のうちの最も浅いプログラム状態よりも浅い所定の中間プログラム状態に達したことを検知する検知手段と、書き込み開始からの書き込み回数を計数する計数手段と、上記メモリセルのしきい値電圧が上記中間プログラム状態に達するや、そのメモリセルと接続されるビット線に書き込みデータに応じたビット線電圧を印加するビット線電圧印加手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 611 Z

Fターム (7件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD00 ,  5B025AD04 ,  5B025AD09 ,  5B025AE08