特許

J-GLOBAL ID：200903091314556969

電磁波発生装置、これを用いた半導体製造装置並びに半導体デバイスの製造方法

発明者： 神高 典明
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187392
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008891
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】微粒子を励起レーザ光照射位置に十分な密度で供給する方法が望まれていた。【解決手段】減圧した容器内に配置あるいは導入された標的物質に励起エネルギービームを照射してプラズマ化し、該プラズマが輻射する電磁波を利用する電磁波発生装置において、該標的物質が微粒子であり、該微粒子状標的物質が静電的な作用を利用した搬送装置によって供給されていることを特徴とする軟X線発生装置。

請求項（抜粋）：

減圧した容器内に配置あるいは導入された標的物質に励起エネルギービームを照射してプラズマ化し、該プラズマが輻射する電磁波を利用する電磁波発生装置において、該標的物質が微粒子であり、該微粒子状標的物質が静電的な作用を利用した搬送装置によって供給されていることを特徴とする軟X線発生装置。

IPC (3件)：

H05G 2/00 ,  G03F 7/20 503 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/20 503 ,  H05G 1/00 K ,  H01L 21/30 531 S

Fターム (12件)：

2H097CA15 ,  4C092AA06 ,  4C092AA17 ,  4C092AB21 ,  4C092AB23 ,  4C092AC09 ,  5F046GA09 ,  5F046GA11 ,  5F046GA12 ,  5F046GB01 ,  5F046GC03 ,  5F046GD10