固有スイッチオン抵抗の低減されたヴァーティカルMOSトランジスタ装置のボディ領域の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-603087
公開番号（公開出願番号）：特表2002-538623
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：

【要約】半導体のヴァーティカルMOSトランジスタ装置のボディ領域の製造方法に関する。ボディ領域は少なくとも1つのチャネル領域を有しており、このチャネル領域はソース領域とドレイン領域との間に配置されており、ゲート領域に接している。ドープ材料の第1のインプランテーションは半導体内部へ行われ、第1のインプランテーションのインプランテーション最大値は半導体内のチャネル領域の後方に位置する。さらに第2のドープ材料のインプランテーションは第1のインプランテーションよりも小さな配量で行われ、第2のインプランテーションのインプランテーション最大値は半導体内の第1のインプランテーションのインプランテーション最大値の下方に位置する。続いてドープ材料の拡散が行われる。

請求項（抜粋）：

a)ボディ領域(9)は少なくとも1つのチャネル領域(11)を有しており、該ボディ領域は第2の導電型のソース領域(10)と第2の導電型のドレイン領域(2、3)との間に配置され、かつゲート電極(5)に接しており、b)ボディ領域(9)およびソース領域(10)を第1の表面(14)から半導体内へ延在させ、c)ドレイン領域(2、3)を第2の表面(15)から半導体内へ延在させ、d)第1の導電型のドープ材料の第1のインプランテーションを半導体内へ行い、その際に第1のインプランテーションのインプランテーション最大値が半導体内部でチャネル領域(11)の後方に位置するようにし、e)第1の導電型のドープ材料の第2のインプランテーションを第1のインプランテーションよりも小さな配量で行い、その際に第2のインプランテーションのインプランテーション最大値が半導体内部で第1のインプランテーションの最大値よりも下方に位置するようにし、f)ドープ材料の拡散を行い、g)第1のインプランテーションの配量は第2のインプランテーションの配量より係数10〜1000だけ大きい、ことを特徴とする半導体内のヴァーティカルMOSトランジスタ装置の第1の導電型のボディ構造(9)の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 21/265 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 655

FI (5件)：

H01L 29/78 652 D , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 658 A , H01L 21/265 F

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭60-202967
特開昭60-196974

審査官引用 (2件)

特開昭60-202967
特開昭60-196974

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