特許
J-GLOBAL ID：200903091330423995
半導体装置の解析用パターン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-312423
公開番号（公開出願番号）：特開平5-150015
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【構成】 層をなした複数の配線のうちの下層配線3の電位を検出するための半導体装置の解析用パターンにおいて、下層配線3と電気的コンタクトを有しかつ最上層配線5と同時に形成される孤立パターン9を備えたことを特徴としている。【効果】 収束イオンビームによる加工を不要にし、電子ビームテスター等を用いた間接的な電位検出を容易にする半導体装置の解析用パターンが得られる効果がある。
請求項（抜粋）：
層をなした複数の配線のうちの下層配線の電位を検出するための半導体装置の解析用パターンにおいて、前記下層配線と電気的コンタクトを有しかつ最上層配線として形成される孤立パターンを備えたことを特徴とする半導体装置の解析用パターン。
IPC (2件)：
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