特許

J-GLOBAL ID：200903091337481745

ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 山口 郁博
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-172058
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074361
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域に結晶粒界が存在しないようにする。【構成】 絶縁基板11上に堆積されたポリシリコン薄膜12には結晶粒界15がランダムに多数存在している。そこで、まず、ゲート電極形成領域16およびこの領域に連続する連続領域17に対応する部分のポリシリコン薄膜12のみにシリコンイオンを注入してこの部分を非晶質化し、次いでこの非晶質化部を熱アニールすることによって再結晶化する。この場合、非晶質化部がその両側から中央部に向かって均等に再結晶化していくので、両側から成長した結晶が両領域16、17の中央部に対応する部分において出会い、この出会った部分に結晶粒界が形成される。この結晶粒界はゲート電極形成領域16の右側に食み出ている。したがって、ゲート電極形成領域16に対応する部分に形成されるチャネル領域には結晶粒界15が存在しないようにすることができる。

請求項（抜粋）：

ポリシリコン薄膜上に所定形状の絶縁膜を形成し、シリコンイオンを注入することにより、前記絶縁膜下の前記ポリシリコン薄膜のみを非晶質化し、この非晶質化部をアニールすることによって再結晶化し、この再結晶化部のうち結晶粒界が含まれない領域のみをチャネル領域とすることを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 H ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 29/78 311 H