特許

J-GLOBAL ID：200903091339184624

半導体多層膜及び発光ダイオードの作製方法

発明者： 清水 敦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175399
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046238
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、良好な製品品質と高い生産性とを同時に満たす、半導体多層膜の作製方法及び発光ダイオードの作製方法を提供する。【構成】 本発明によるAlGaAs若しくはAlGaAsとGaAsを用いた半導体多層膜を作製方法は、以下のように構成される。即ち、a)ダブルヘテロ接合若しくはシングルヘテロ接合を有する第1のエピタキシャル層をスライドボート法等で成長し、b)第1のエピタキシャル層をスライドボートから取り出し弗酸若しくは硫化物に浸漬して表面に不動態皮膜を形成し、c)これをディップ炉に移送して第2のエピタキシャル層を成長する。また、本発明による発光ダイオードの作製方法は、上記工程に更に、d)この半導体多層膜にオーミック電極を計せする、の工程を含む。このような方法により、良好な品質を有する半導体多層膜及び発光ダイオードを、生産性良く製造できる。

請求項（抜粋）：

AlGaAs若しくはAlGaAsとGaAsを用いたシングルヘテロ接合構造若しくはダブルヘテロ接合構造から成るpn接合を含む第1のエピタキシャル層をGaAs基板上に成長する第1のステップと、前記第1のエピタキシャル層の最上層表面を弗化水素水溶液若しくは硫化物水溶液に浸漬し前記最上層表面に薄膜を形成する第2のステップと、前記第1のエピタキシャル層の前記最上層の上に前記最上層と同種の電導型を有するAlGaAsから成る第2のエピタキシャル層を液相エピタキシーを用いて成長する第3のステップと、前記GaAs基板を除去する第4のステップと、を備えることを特徴とする半導体多層膜の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/205