特許

J-GLOBAL ID：200903091340437536

不純物導入方法、不純物導入装置およびこれらを用いて形成した電子素子

発明者： 金 成國 ,  佐々木 雄一朗 ,  水野 文二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 高松 猛 ,  市川 利光 ,  橋本 公秀
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004014292
公開番号（公開出願番号）：WO2005-031832
出願日： 2004年09月22日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

本発明の課題は、基板温度の上昇を招くことなく、不純物導入を実現する。 不純物導入工程でできる格子欠陥の物性を光学的に測定し、続く工程に最適になるように制御することである。 固体基体表面に不純物を導入する工程と、前記不純物の導入された領域の光学的特性を測定する工程と、前記測定結果に基づき、前記不純物の導入された領域の光学的特性にあわせて、アニール条件を選定する工程と、選定された前記アニール条件に基づいて前記不純物の導入された領域をアニールする工程とを含む。

請求項（抜粋）：

固体基体表面に不純物を導入する工程と、 前記不純物の導入された領域の光学的特性を測定する工程と 前記測定結果に基づき、前記不純物の導入された領域の光学的特性にあわせて、アニール条件を選定する工程と、 選定された前記アニール条件に基づいて前記不純物の導入された領域をアニールする工程とを含む不純物導入方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/22

FI (5件)：

H01L21/265 T ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 602B ,  H01L21/265 602C ,  H01L21/22 E

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光反射材、マスク付き光反射材、および光反射材の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-094019   出願人：日本テクノウイングズ有限会社