特許
J-GLOBAL ID：200903091340580169
薄膜積層コンデンサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-017179
公開番号（公開出願番号）：特開平6-231991
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 薄膜積層コンデンサの製造方法に関し、マスク法を利用し、成膜パターンの変形や、パターンエッジの不鮮明さがなく、マスクの機械的強度も充分であり、取付時のテンションによる伸び、蒸着物の付着の応力による反り、再生使用時の変形等の問題がなく、小形で大容量の薄膜積層コンデンサを低コストで生産性よく製造することが可能な薄膜積層コンデンサの製造方法を提供する。【構成】 基体上にドライプロセスを利用した薄膜形成手段を用いて誘電体と電極とを交互に少なくとも一層ずつ積み重ねる際に、誘電体と電極のパターン形成にマスク法を用いると共に、誘電体と電極のそれぞれの蒸着マスクは基体に接する側よりも蒸発源側のパターン寸法を大きくし、蒸着マスクの厚みが0.05mm以上1mm以下であり、基体に接する側と蒸発源側のパターンの寸法差が20μm以上2mm以下とする。
請求項（抜粋）：
基体上にドライプロセスを利用した薄膜形成手段を用いて誘電体と電極とを交互に少なくとも一層ずつ積み重ねる際に、前記誘電体と電極のパターン形成にマスク法を用いると共に、前記誘電体と電極のそれぞれの蒸着マスクは前記基体に接する側よりも蒸発源側のパターン寸法を大きくしたことを特徴とする薄膜積層コンデンサの製造方法。
IPC (3件)：
H01G 4/06 102
, C23C 14/04
, H01G 4/30 311
