特許

J-GLOBAL ID：200903091343424052

有機電界効果トランジスタ、有機電界効果トランジスタの製造方法、半導体装置及び電子機器

発明者： 国清 敏幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (3件)： 森 幸一 ,  逢坂 宏 ,  松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-258564
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088377
出願日： 2007年10月02日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】ソース電極からのホール注入、及び、ドレイン電極からの電子注入の双方に適した構造を容易に得ることができ、かつ、製造プロセスも簡単な有機電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】有機電界効果トランジスタは、基板上のドレイン電極13と、基板上にドレイン電極13と接触して設けられた、少なくともC2hの対称操作に対して不変な平面構造を有するアセンカルコゲン系分子からなるチャネル層14と、チャネル層14上にチャネル層14と接触して設けられたソース電極15とを有する。ソース電極15とチャネル層14との界面のうちのチャネル層14に形成されるチャネル16と接触する部分の少なくとも一部とアセンカルコゲン系分子の長軸とのなす角度を、ドレイン電極13とチャネル層14との界面のうちのチャネル16と接触する部分の少なくとも一部とアセンカルコゲン系分子の長軸とのなす角度より大きくする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に設けられたドレイン電極と、 上記基板上に上記ドレイン電極と接触して設けられた、少なくともC2hの対称操作に対して不変な平面構造を有するアセンカルコゲン系分子からなるチャネル層と、 上記チャネル層上に上記チャネル層と接触して設けられたソース電極とを有し、 上記ソース電極と上記チャネル層との界面のうちの上記チャネル層に形成されるチャネルと接触する部分の少なくとも一部と上記アセンカルコゲン系分子の長軸とのなす角度と、上記ドレイン電極と上記チャネル層との界面のうちの上記チャネルと接触する部分の少なくとも一部と上記アセンカルコゲン系分子の長軸とのなす角度とが互いに異なる ことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250F

Fターム (16件)：

5F110AA16 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG17 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12